포토레지스트 구조 (1) 썸네일형 리스트형 ArF(Dry) 포토레지스트 개념과 구조(Positive) 1. ArF 포토레지스트 반도체기술은 항상 미세화를 위해 개선되고 있습니다. 이전의 KrF(248nm) 포토레지스트에서 더 얇은 회로선폭, 고집적화를 이루기 위한 포토레지스트 파장의 변화는 ArF(193nm)로 옮겨갔습니다. 아래의 그림 처럼 패턴의 미세화를 위해서 "리소그래피 공정 파장"을 작게 하고 있습니다. Rayleigh 식에 따라서 패턴의 해상도는 공정파장에 비례하기 때문입니다. ArF laser는 193nm의 파장을 가지는 빛입니다. 다른 파장의 포토레지스트와 마찬가지로 "ArF 포토레지스트"라고 해당 파장으로 부릅니다. 2. ArF 포토레지스트의 특징 포토레지스트는 리소그래피 공정 파장에서 흡광도가 낮아야 됩니다. 모든 포토레지스트 폴리머가 가져야 될 특징입니다. 포토레지스트가 흡광도가 있으.. 이전 1 다음
