포토레지스트 반응 (2) 썸네일형 리스트형 KrF 포토레지스트의 개념과 반응(positeve) KrF 포토레지스트 1990년대 포토레지스트의 미세화 기술은 I-line의 한계를 넘어가고 있었습니다. I-line 포토레지스트가 구현할 수 있는 최소의 회로 선폭보다 얇은 회로가 필요했습니다. 따라서 리소그래피 기술은 공정 파장을 옮기는 방향으로 기술이 변했습니다. "I-line(365nm) → KrF(248nm)" KrF laser는 248nm의 파장을 가지는 빛입니다. KrF 파장에서 사용하는 포토레지스트를 "KrF 포토레지스트" 또는 "DUV 포토레지스트"라고 일반적으로 부릅니다. 리소그래피 공정의 파장이 바뀌면서, 포토레지스트 소재개발도 역시 필요했습니다. 기존 I-line에서 사용하던 노볼락 수지는 248nm에서 흡광도가 높아 사용할 수 없었기 때문입니다. 포토레지스트의 성분의 중요한 특징 1.. I-line 포토레지스트의 개념,성분 그리고 반응(Positive) I-line 포토레지스트 개요 리소그래피(Lithography) 공정에서 파장에 따라 포토레지스트를 분류할 수 있습니다. 수은램프 365nm 파장의 빛은 I-line이라고 하며 이때 사용하는 포토레지스트를 "I-line 포토레지스트"라고 일반적으로 부릅니다. 반도체기술은 패턴의 미세화에 초점이 맞춰져 있습니다. 웨이퍼에 패턴을 얼마나 작게 그리느냐에 따라서 성능과 수율이 모두 달라지기 때문이죠. Rayleigh의 식에 따라서, 회로선폭(CD)은 리소그래피에 사용하는 파장(λ)에 비례합니다. 짧은 파장을 사용할수록, 회로선폭을 더 얇게 그릴 수 있습니다. 최근 많이 사용되고, 기술난이도가 높은 광원은 ArF를 이용한 포토레지스트입니다. EUV는 말할 것도 없죠. I-line 포토레지스트는 오래되었지만, 1.. 이전 1 다음
